A sua estabilidade em cargas elevadas torna-o a solução técnica ideal para fontes de alimentação de tvs de plasma e lcd de grandes polegadas, servidores de pequeno porte e equipamentos industriais de alta demanda energética. Especificações técnicas: - tensão do mosfet interno: 650v - corrente de pico do mosfet: 22a - resistência de condução rds-on: baixa para alta eficiência - funções de proteção: sobretensão, sobrecorrente pulso a pulso e proteção térmica com trava - encapsulamento: to-3p - diferencial: este componente utiliza o encapsulamento to-3p de sete pinos, que oferece uma área de contato térmico significativamente maior, permitindo que o ci gerencie correntes mais altas com menor térmico e dispense sistemas de ventilação forçada em diversos projetos de alta potência. Marca: Não Informado