Memoria 8GB DDR4 3200Mhz Kingston Notebook

• Fonte de alimentação: VDD = 1.2V típico
• VDDQ = 1.2V típico
• VPP = 2.5V típico
• VDDSPD = 2.2V a 3.6V
• Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para sinais de dados, estroboscópio e máscara
• Atualização automática de baixa potência (LPASR)
• Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
• Geração e calibração VREFDQ na matriz
• Classificação única
• EEPROM de detecção de presença serial (SPD) I2 integrada
• 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada
• Corte de rajada fixo (BC) de 4 e comprimento de rajada (BL) de 8 através do conjunto de registros de modo (MRS)
• BC4 ou BL8 selecionável on-the-fly (OTF)
• Topologia de passagem
• Comando de controle terminado e barramento de endereço
• PCB: Altura 1,18 ”(30,00 mm)
• Compatível com RoHS e sem halogênio

Especificações:
CL (IDD) = 22 ciclos
Tempo do ciclo da linha (tRCmin) = 45,75ns (min.)
Refresh para tempo de comando ativo (tRFCmin) = 350ns (min.)
Tempo ativo da linha (tRASmin) = 32ns (min.)
Classificação UL: 94V - 0
Temperatura de operação: 0ºC a +85ºC
Temperatura de armazenamento: -55ºC a +100ºC