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Memória Servidor 64GB DDR4 Kingston KSM26RD4/64HCR - PC4-2666 - ECC - CL19 - 288-Pin RDIMM - Hynix
(Cód. Item 1562962156)
Outros produtos KINGSTON
Características do produto
Memória RAM do produto Acimetrosa de 8 GB
Memória RAM do produto 64GB
Características gerais do produto Memetrosória para servidor Kingston 64GB DDR4, PC4-2666, ECC, CL19, 288-Pin RDIMM, Hynix
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Marca: Kingston
Modelo: KSM26RD4/64HCR
- CL (IDD): 19 ciclos
- Tempo de ciclo de linha (tRCmin): 46,25ns (min.)
- Tempo de comando de refresh (tRFCmin): 350ns (min.)
- Tempo de linha ativa (tRASmin): 32ns (min.)
- Classificação UL: 94 V-0
- Temperatura de operação: 0ºC a +85ºC
- Temperatura de armazenamento: -55ºC a +100ºC.
Recursos
- Fonte de alimentação: VDD = 1,2V
- VDDQ = 1,2V
- VPP = 2,5V
- VDDSPD = 2,41V a 2,75V
- Funcionalidade e operações estão em conformidade com a folha de dados DDR4 SDRAM
- 16 bancos internos
- O agrupamento de bancos é aplicado e a latência CAS para CAS (tCCD_L, tCCD_S) para os bancos do mesmo ou de diferentes grupos de bancos estão disponíveis acessos
- Taxas de transferência de dados: PC4-2666, PC4-2400, PC4-2133, PC4-1866, PC4-1600
- Estroboscópio de dados diferenciais bidirecionais
- Pré-busca de 8 bits
- Interruptor de comprimento de explosão (BL) instantaneamente BL8 ou BC4 (Burst Chop)
- Suporta correção e detecção de erros ECC
- Terminação On-Die (ODT)
- Sensor de temperatura com SPD integrado
- Este produto está em conformidade com a diretiva RoHS.
- A endereçabilidade por DRAM é suportada
- A geração interna de nível Vref DQ está disponível
- A gravação CRC é suportada em todos os níveis de velocidade
- O modo de paridade CA (paridade de comando/endereço) é suportado
Modelo: KSM26RD4/64HCR
- CL (IDD): 19 ciclos
- Tempo de ciclo de linha (tRCmin): 46,25ns (min.)
- Tempo de comando de refresh (tRFCmin): 350ns (min.)
- Tempo de linha ativa (tRASmin): 32ns (min.)
- Classificação UL: 94 V-0
- Temperatura de operação: 0ºC a +85ºC
- Temperatura de armazenamento: -55ºC a +100ºC.
Recursos
- Fonte de alimentação: VDD = 1,2V
- VDDQ = 1,2V
- VPP = 2,5V
- VDDSPD = 2,41V a 2,75V
- Funcionalidade e operações estão em conformidade com a folha de dados DDR4 SDRAM
- 16 bancos internos
- O agrupamento de bancos é aplicado e a latência CAS para CAS (tCCD_L, tCCD_S) para os bancos do mesmo ou de diferentes grupos de bancos estão disponíveis acessos
- Taxas de transferência de dados: PC4-2666, PC4-2400, PC4-2133, PC4-1866, PC4-1600
- Estroboscópio de dados diferenciais bidirecionais
- Pré-busca de 8 bits
- Interruptor de comprimento de explosão (BL) instantaneamente BL8 ou BC4 (Burst Chop)
- Suporta correção e detecção de erros ECC
- Terminação On-Die (ODT)
- Sensor de temperatura com SPD integrado
- Este produto está em conformidade com a diretiva RoHS.
- A endereçabilidade por DRAM é suportada
- A geração interna de nível Vref DQ está disponível
- A gravação CRC é suportada em todos os níveis de velocidade
- O modo de paridade CA (paridade de comando/endereço) é suportado